%A 仲召进 , 曹 欣 , 高 强 , 韩 娜 , 崔介东 , 石丽芬 , 姚婷婷 , 马立云, 彭 寿 %T 射频溅射功率对室温沉积 AZO 薄膜性能的影响 %0 Journal Article %D 2019 %J 真空 %R 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.01.09 %P 45-48 %V 56 %N 1 %U {http://www.vacjour.com/CN/abstract/article_43.shtml} %8 2019-01-25 %X 本文采用直流射频耦合磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积 AZO 薄膜,将射频电源功率从 0W 增加到到 200W。通过 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了 AZO 薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能。研究结果表明,直流射频耦合磁控溅射可以在室温下制备性能优异的 AZO 薄膜,且射频溅射功率对 AZO 薄膜光电性能有显著的影响,随着射频功率的提高,AZO 薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化。在射频功率为 200W 时,室温制备的 AZO 薄膜电阻率达到最低 5.39×10 -4 Ω·cm,薄膜平均可见光透过率达到 82.6%。