RT Journal
T1 Mg 掺杂浓度对射频磁控溅射制备 Ga2O3 薄膜性质的影响
A1 王晓然, 马艳彬, 段 苹, 李如永, 庄碧辉, 崔 敏, 原安娟, 邓金祥
PB 真空
FD 2018-11-25
YR 2018
JF 真空
JO 真空
VO 55
IS 6
SP 68
DO 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.06.15
K1 射频磁控溅射;Mg 掺杂 Ga#sub#2#/sub#O#sub#3#/sub# 薄膜;Mg 掺杂浓度;光学带隙
LK {http://www.vacjour.com/CN/article/article_31.shtml}