RT Journal T1 Mg 掺杂浓度对射频磁控溅射制备 Ga2O3 薄膜性质的影响 A1 王晓然, 马艳彬, 段 苹, 李如永, 庄碧辉, 崔 敏, 原安娟, 邓金祥 PB 真空 FD 2018-11-25 YR 2018 JF 真空 JO 真空 VO 55 IS 6 SP 68 DO 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.06.15 K1 射频磁控溅射;Mg 掺杂 Ga#sub#2#/sub#O#sub#3#/sub# 薄膜;Mg 掺杂浓度;光学带隙 LK {http://www.vacjour.com/CN/article/article_31.shtml}