真空 ›› 2019, Vol. 56 ›› Issue (1): 39-44.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.01.08
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徐均琪 1,李候俊 1,李 绵 1,王 建 1,苏俊宏 1,基玛·格拉索夫 2
XU Jun-qi1, LI Hou-jun1, LI Mian1, WANG Jian1, SU Jun-hong1, GOLOSOV Dmitriy A.2
摘要: 采用电子束热蒸发技术,用不同沉积速率制备了 TiO2 薄膜。根据透射率谱计算了薄膜的光学带隙,采用椭偏法测量了薄膜的折射率、消光系数及厚度,分析了薄膜内部的电场强度分布,对其激光损伤特性进行了研究。结果表明,在所研究的工艺参数范围内,TiO2 薄膜的光学带隙比较稳定,随沉积速率的变化并不显著,其值大小在 3.95eV -3.97eV。当沉积速率从 0.088nm/s,0.128nm/s 增加到 0.18nm/s 时,薄膜折射率从 1.9782,1.9928,升高到 2.0021(波长 1064nm),但当沉积速率继续增加到 0.327nm/s 时,折射率反而降低到 1.9663,薄膜的消光系数随着沉积速率的增加单调增加。采用同一高能激光损伤薄膜后,当沉积速率较低时制备薄膜的损伤斑大小基本一致,但以 0.327nm/s 较高速率制备的薄膜,其损伤斑明显增大。高沉积速率下制备的 TiO2 薄膜的吸收较大,激光损伤阈值较低
中图分类号:
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[2] | 王晓然, 马艳彬, 段 苹, 李如永, 庄碧辉, 崔 敏, 原安娟, 邓金祥. Mg 掺杂浓度对射频磁控溅射制备 Ga2O3 薄膜性质的影响[J]. 真空, 2018, 55(6): 68-72. |
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