真空 ›› 2026, Vol. 63 ›› Issue (3): 76-82.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2026.03.11
张子奇
ZHANG Ziqi
摘要: 为应对瞬态场耦合形成的强电磁干扰源对真空断路器电磁兼容性造成的问题,提升真空断路器的抗电磁干扰能力,本研究提出瞬态场耦合下的真空断路器电磁兼容性优化方法。该方法在瞬态场耦合分析下将电磁转矩纳入失效率模型,以真空断路器平均无故障时间作为兼容性失效指标;结合真空灭弧室内部屏蔽罩和触头的设计参数,确定电磁兼容性优化模型,结合改进深度学习实现真空断路器电磁兼容性多参数协同优化。结果显示:优化后电场分布均匀度提升至5.1%~6.6%,有效避免其在电磁转矩突变下的磁场耦合;有效抑制电磁场干扰强度,电磁场干扰强度最小值为3.66 mT,最大值为7.25 mT。
中图分类号: TM854
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