真空 ›› 2022, Vol. 59 ›› Issue (4): 22-27.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2022.04.05
刘顺明1,2, 宋洪1,2, 王鹏程1,2, 刘佳明1,2, 关玉慧1,2, 谭彪1,2, 孙晓阳1,2, 陈卫东1,2, 刘盛进1,2, 欧阳华甫1,2
LIU Shun-ming1,2, SONG Hong1,2, WANG Peng-cheng1,2, LIU Jia-ming1,2, GUAN Yu-hui1,2, TAN Biao1,2, SUN Xiao-yang1,2, CHEN Wei-dong1,2, LIU Sheng-jin1,2, OUYANG Hua-fu1,2
摘要: CSNS II加速器的束流打靶功率从100kW升级至500kW,要求直线加速器平均束流功率从目前的5kW提高到25kW,脉冲束流强度从目前的12.5mA提高到大于40mA。为此,需将当前使用的潘宁(Penning)型表面负氢离子源更改为射频(RF)负氢离子源。考虑到切束器的切束比范围在35%~50%,LEBT通过率可达到75%~95%,故RF负氢离子源需要产生至少50mA的负氢离子束。负氢离子源氢气用量也需要由目前的10sccm提高至不低于20sccm,同时要求LEBT第二腔真空度≤5.0×10-3Pa。基于此,本文对离子源及LEBT真空系统进行了改造,提高了LEBT的束流通过率。并且对比了国内外两款磁悬浮分子泵对氢气的抽速,为后期分子泵的选型以及国产化替代提供一定的参考。
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