真空 ›› 2018, Vol. 55 ›› Issue (5): 1-9.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.05.01
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李得天, 成永军, 张虎忠, 孙雯君, 王永军, 孙 健, 李 刚, 裴晓强
LI De-tian, CHENG Yong-jun, ZHANG Hu-zhong, SUN Wen-jun, WANG Yong-jun, SUN Jian, LI Gang,
摘要: 碳纳米管(Carbon nanotube, CNT)薄膜可作为场发射阴极材料, 具有常温下工作、 物理化学性能 稳定、 响应时间快等一系列优点, 在各类电真空器件中具有潜在的应用价值。 本文重点综述了兰州空间技 术物理研究所近年来开展的碳纳米管阴极制备及其应用研究进展,总结了 CVD 法直接生长法制备不同 微观形貌的碳纳米管薄膜的实验方法, 分析了不同碳纳米管阴极的场发射特性, 介绍了其在超高真空测 量和空间电推进中的应用现状及最新进展。
[1] | 周彬彬, 张 建, 何剑锋, 董长昆. 基于 CVD 直接生长法的碳纳米管场发射阴极[J]. 真空, 2018, 55(5): 10-14. |
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