真空 ›› 2018, Vol. 55 ›› Issue (5): 10-14.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.05.02
周彬彬,张 建,何剑锋,董长昆
ZHOU Bin-bin, ZHANG jian, HE Jian-feng, DONG Chang-kun
摘要: 碳纳米管(CNT)场发射阴极具有启动快、分辨率高、寿命长、功耗小等优点,在多种真空电子设 备与器件上,包括平板显示器、真空测量、微波管、X 射线管等得到了应用。本文讨论了碳纳米管阴极的主 要制备方法以及存在的问题,介绍了基于化学气相沉积法和阳极化工艺、在含催化金属基底直接制备碳 纳米管冷阴极所具有强附着力特点,以及应用在 X 射线管等强流真空电子器件上的优势。文章介绍了在 不锈钢基底直接生长 CNT 阴极的场发射性能,其开启电场为 1.46 V/μm。与常规催化金属镀膜层上生长 的 CNT 阴极相比,大电流发射与稳定性显著提高。金属基底阳极化工艺显著改善碳纳米管结构与场发射 性能。直径 2 cm 的不锈钢基底上生长的 CNT 具有晶体性好、分布均匀等特点,场发射性能提高。在镍基 底上生长的 CNT 阴极电流密度可以达到 500 mA/cm2 以上
中图分类号:
[1] | 李得天, 成永军, 张虎忠, 孙雯君, 王永军, 孙 健, 李 刚, 裴晓强. 碳纳米管场发射阴极制备及其应用研究[J]. 真空, 2018, 55(5): 1-9. |
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