真空 ›› 2020, Vol. 57 ›› Issue (3): 30-33.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2020.03.07
高超, 张吉峰, 唐榕
GAO Chao, ZHANG Ji-feng, TANG Rong
摘要： 本文介绍了应用于石墨烯制备的CVD反应炉的工艺原理及技术特点,并以一台已经研制成功的CVD反应炉为例,详细阐述了该设备的相关设计思路及特点。该设备采用先进的控温技术控制加热器的快速升温,通过闭环控制实现了工艺过程中腔室压力的自动控制,具有控制精度高、响应快、一致性好等优点。
中图分类号:
| [1] 陈冰, 焦浩文, 罗良等. 多光谱CVD硫化锌材料的磨削去除机理[J]. 宇航材料工艺, 2019, 49(4): 90-94. [2] Stylianou R, Velic D, Daves W, et al.Stress relaxation through thermal crack formation in CVD TiCN coatings grown on WC-Co with different Co contents[J]. International Journal of Refractory Metals and Hard Materials, 2020, 86: 235-243. [3] 单利君, 林勤保, 张明, 等. 石墨烯/低密度聚乙烯复合膜的制备及性能[J]. 包装工程, 2017, 38(13): 60-65. [4] An Q L, Chen J, Tao Z R, et al.Experimental investigation on tool wear characteristics of PVD and CVD coatings during face milling of Ti6242S and Ti-555 titanium alloys[J]. International Journal of Refractory Metals and Hard Materials, 2020, 86: 355-362. [5] Liu Y H, Zhang J L, Wu F L, et al.The Raman Spectroscopy and XPS investigation of CVD diamond after fast-neutron irradiation[J]. Materials Today Communications, 2019, 22: 1425-1431. [6] 曾玉刚, 韩根全, 余金中, 等. 双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制[J]. 真空, 2007, 44(3): 19-23. [7] 孙蕾, 满卫东, 汪建华, 等. CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展[J]. 真空与低温, 2008(3): 134-139+171. [8] 苏青峰, 夏义本, 王林军, 等. (100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能[J]. 半导体学报, 2005, 26(5): 947-951. [9] 孙方宏, 张志明, 沈荷生, 等. 纳米金刚石薄膜的制备与应用[J]. 机械工程学报, 2007, 43(3): 118-122. [10] 雷震霖, 赵科新, 余文斌, 等. UHV/CVD 设备及其特性[J]. 真空, 1997(6): 18-21. [11] 姜龙, 郭辉, 吴晓波, 等. 基于PLC的直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石设备自动控制系统[J]. 真空, 2010, 47(2): 76-78. [12] 葛品森, 刘颖, 夏诗怡. 半导体CVD真空镀膜监控系统的设计[J]. 科技信息, 2012(10): 356. [13] 过润秋, 陈贤能. 基于PLC的MOCVD控制系统设计[J]. 微计算机信息, 2007, 23(5): 25-27. [14] 王贵成, 宋琳, 徐心和. 一种基于PLC的远程监控系统的设计[J]. 微计算机信息, 2005, 21(7): 116-117. [15] 徐香坤, 孔祥玲, 王庆. RF-500型CVD镀膜机计算机控制系统[J]. 工业控制计算机, 2007, 20(9): 14-15. [16] 苏卫峰, 李霞, 单正娅. 基于MSComm控件的串口通信在CVD控制装置中的应用[J]. 科技资讯, 2010, 20: 19. [17] 姜龙, 郭辉, 吴晓波, 等. 基于PLC的直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石设备自动控制系统[J]. 真空, 2010, 47(2): 76-78. |
| [1] | 张吉峰, 唐榕. 真空扩散焊电伺服控制系统设计[J]. 真空, 2020, 57(3): 49-53. |
| [2] | 冉彪, 刘飞, 于翔. 利用非晶SiC在硬质合金上原位生长石墨烯[J]. 真空, 2019, 56(4): 24-30. |
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