等离子冶炼具有一系列特点,能够加快热传导、物质交换和化学反应过程,从而强化冶炼过程;能够与其它冶炼手段配合使用,形成等离子电渣工艺、等离子感应重熔工艺等;在冶炼难熔金属、培养难熔金属单晶体、精炼活泼金属、回收利用贵重金属等方面,具有难以替代的作用。

本文介绍了国内首台多室隧道连续式真空烧结炉的设计原理和研制过程。介绍了其应用背景、系统构成、各主要单元的工作原理,并根据相关技术需求开发设计出一套有自己特色的生产设备。

本文简述扩散泵的原理、特点、分类、用途,回顾国内扩散泵发展的历史进程,分析扩散泵的现实水平、状况,探讨扩散泵未来的发展前景。

中国散裂中子源（CSNS）质子加速器由产生能量为80MeV的负氢离子直线加速器、直线加速器到环（LRBT）和环到靶（RTBT）的束流输运线、以及积累和加速质子束到1.6GeV的快循环同步环(RCS)组成,而总长约200米的LRBT段是该加速器的重要组成部分。本文介绍LRBT段真空系统,包括总体布局设计,物理需求,真空参数,关键设备,安装和调试工作;目前,LRBT动态真空在打靶功率50kW时优于2×10^-6Pa,满足物理需求,各非标真空设备、真空获得及测量设备等经过2年半的长期运行,稳定可靠无故障。

某条高压低温液氧管线是在某氢氧发动机关键技术攻关阶段和模样阶段,为某型号发动机提供高压液氧介质的保障系统,在这条管线上有4个承受高压的波纹补偿器,在某次系统常温气密试验时,4个波纹管出现不同程度的弯曲失效情况,针对此种情况,对波纹管失效原因进行查找,并提出补救措施,保证了系统的安全性,确保型号试验按期进行。

建立了由喷射器、蒸发器、发生器和冷凝器等组成的蒸汽喷射制冷循环系统。研究了不同的扩压器等直段直径对喷射器抽气性能的影响。当扩压器等直段直径由24mm增加到28mm后,喷射器的引射系数显著增加,喷射器的抽气效率得到了提高,但临界背压降低。分析和讨论了在不同操作参数下扩压器等直段直径对喷射器性能的影响。结果表明,随着工作蒸汽压力的升高,引射系数呈现先升高后下降的变化趋势,在达到0.36MPa时喷射器的引射系数值最大为0.53。当背压值小于临界背压值时喷射器的引射系数保持不变,当背压值大于临界背压值时引射系数减小直至背压为7000Pa时引射系数为0。在一定的操作参数条件下,扩压器等直段直径存在最佳值使喷射器的抽气效率达到最高。

真空装置门体运动机构可靠性是影响真空装置可用性的关键因素,针对新型的真空装置门体运动机构,本文在故障模式分析的基础上,建立了运动机构故障树模型,进行最小割集分析,对故障树进行了定性和定量分析,发现门体运动机构的系统可靠性薄弱环节,对门体运动机构系统设计和加工提出相应优化改进建议。

秸秆粉碎机是实现生物质能源优质开发利用的基础设备,其抑尘结构的设计优化则是实现粉碎机安全环保运行的关键。本研究设计了一种变径式粉碎机,通过转子刀片高速旋转与变径结构产生低真空区域,在粉碎机进料口产生向内压差,增加粉碎机内颗粒逃逸阻力,实现抑尘作用。首先,采用理论分析得到了变径式粉碎机内颗粒逃逸阻力压差值;其次,采用MRF方法和DPM模型对粉碎机内气固两相流进行CFD模拟,结果表明变径式粉碎机可降低进料口逃逸粒子数约30%,抑尘效果显著;而后,本研究对变径式粉碎机的工作转速在（500~6000）r/min、颗粒尺寸在（1~5000）μm、变径比在1~1.2范围内参数进行优化分析,获得抑尘率可达57%的变径式粉碎机结构及工作参数,为秸秆粉碎机抑尘结构设计及安全环保运行提供理论基础。

Low-E玻璃镀膜线C1室,是整条生产线非常重要的真空室,它的节拍决定了整条生产线的最快节拍。本文对C1室的设计提出了一系列要求,给出了相应的设计原则,从降低设备制造成本、降低能耗、增加设备的适用性方向出发,又给出了有别于常规的特殊设计,对抽气时间、泵组配置进行了计算。按此设计制造了C1室并进行了测试,验证了特殊设计中占空块这一项设计,就可使抽气时间改变43.2%。

采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO₂薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO₂薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论：HfO₂薄膜表面较为平坦致密,晶粒大小均匀,晶粒尺寸大部分在10nm~20nm之间;薄膜为多晶结构,O和Hf的原子比接近2:1,且随着氩氧比的增加,O和Hf的原子比呈上升趋势;薄膜在400nm~800nm波长范围内光的透射率都在85%以上,折射率都在2.0以上;漏电流较小,介电常数在16以上。高介电HfO₂材料适合代替传统SiO₂做栅介质材料。

报道了一种新型PE-ALD工艺用于沉积碳化钴薄膜。以脒基钴为前驱体,在氢等离子体作用下,成功制备了碳化钴薄膜。薄膜厚度与沉积循环关系显示薄膜生长为理想的逐层生长行为,100℃下薄膜生长速率为0.066 nm/cycle。利用XRD和TEM对所沉积的薄膜进行表征,结果表明薄膜是多晶的六方晶系Co₃C晶体结构。XPS的结果表明沉积的碳化钴膜具有高纯度。在深宽比高达20:1的硅基底沟槽中研究碳化钴薄膜的保型性,显示该PE-ALD工艺可以沉积厚度均匀、光滑且高度保形的碳化钴薄膜,这有利于在高深宽比的3D结构中的涂覆并且在负载催化剂领域具有潜在应用。

本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系（CNA：HNO₃:H₂O）中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽（15±1）μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。

本文主要介绍了柔性镀膜材料的制备方法、应用发展状况以及柔性镀膜材料在柔性电路板行业的应用和发展趋势,重点阐述了采用真空磁控溅射工艺制取高性能柔性电路板材料的研发和制备过程。

由于缺乏统一规范,如何用酒精高效快速的确定漏点一直是真空镀膜企业重点关注的问题。本文通过对真空镀膜设备的喷酒精检漏的有效性开展研究,并用氦质谱检漏进行验证与标定,系统研究了气压工作范围、抽气速率、漏点结构形式三个主要影响因素。得出如下结论：真空室气压低于5.0×10^-3 Pa时喷酒精不能够检出漏点,气压在5.0×10^-3Pa~9.9×10^-3Pa范围酒精检漏的气压变化趋势为先下降后上升再下降,在气压1.0×10^-2Pa~9.9×10^-2Pa范围里喷完酒精后,真空室内的气压变化趋势是先略微下降后上升再下降,在1.0×10^-1Pa~9.9×10^-1Pa气压范围,由于漏点尺寸大,喷酒精后,气压无下降,直接先上升后下降;相比两个分子泵,一个分子泵工作检漏时,漏点检出时间长且易漏检,所以在实际泵速较小或真空室较大的真空系统检漏时要特别注意,防止漏检。简单结构漏点喷酒精检漏用时短易检出,而结构复杂的漏点气压反应所用时间长易漏检。以上研究结果为真空生产和应用单位采用酒精高效简易检漏提供了有效指导。

以法布里-珀珞滤光片（Fabry-Perot filter）结构为模型进,通过对间隔层干涉级次的计算优化,在理论上得到初步具有三通道特性的滤光片结构;为了进一步减少通道半带宽和提高滤波特性,通过适当提高反射膜的反射率,最终得到一种三个通道半带宽均≤5nm,峰值透过率≥95%的三通道滤光片设计。

真空冷冻干燥（简称冻干）因在低温低压下进行,制备的粉体硬团聚少、粒径小且均匀,已经发展成为制备无机纳米粉体的一种重要方法。本文综述了冻干法在制备无机纳米粉体中取得的最新进展及工艺方法,探讨了冻干法制备无机纳米粉体研究中存在的主要问题和发展方向。