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直流射频耦合制备微纳结构 AZO 薄膜及其性能研究
姚婷婷, 仲召进, 李 刚, 汤永康, 杨 勇, 金克武, 沈洪雪, 王天齐, 彭塞奥, 金良茂, 沈鸿烈, 甘治平, 马立云
真空
2018, 55 (6):
64-67.
doi:
10.13385/j.cnki.vacuum.2018.06.14
采用直流射频耦合磁控溅射法结合线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,底层 AZO 薄膜射频功率占比从 50%调整到 90%。通过扫描电子显微镜(SEM)、X 射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试系统、紫外可见分光光度计、光电雾度仪重点研究了 AZO 薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能。研究结果表明,提高底层 AZO 薄膜射频功率占比对微纳结构 AZO 薄膜光电性能有显著的影响,底层 AZO 薄膜射频功率占比 80%时薄膜表现最低电阻率 5.32×10-4 Ω·cm,可见光波段平均光学雾度 36.3%。随着底层 AZO 薄膜射频功率占比的增加,薄膜表面形貌、生长形态和结晶性能发生较大变化,并得到具有陷光作用且光电性能优良的微纳结构 AZO 薄膜。
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