真空 ›› 2019, Vol. 56 ›› Issue (5): 61-64.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.12
罗俊尧1,2, 刘光壮3, 杨曌1,2, 李保昌1,2, 沓世我1,2
LUO Jun-yao1,2, LIU Guang-zhuang3, YANG Zhao1,2, LI Bao-chang1,2, TA Shi-wo1,2
摘要: 本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO3:H2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽(15±1)μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。
中图分类号:
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