真空 ›› 2020, Vol. 57 ›› Issue (5): 11-13.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2020.05.03
韦贤露, 巩晨阳, 肖剑荣
WEI Xian-lu, GONG Chen-yang, XIAO Jian-rong
摘要: 采用射频反应磁控溅射技术,在不同气压下制备了二硫化钼薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外可见光光谱仪等对薄膜的表面形貌、结构和光学性能进行了表征、分析。结果表明:利用射频反应磁控溅射制备的MoS2薄膜,表面平整、颗粒均匀、致密,缺陷少;沉积气压1.2Pa条件下制备的薄膜结晶度最好;薄膜的光学带隙随沉积气压先增大后减小,1.2Pa时光学带隙最大,为1.69eV。薄膜光学带隙的变化是由沉积气压引起薄膜结晶度变化和形成缺陷不同所致。
中图分类号:
[1] Meng Q, Jianrong X, Chen Y G.Thermal annealing effects on the electrophysical characteristics of sputtered MoS2 thin films by Hall effect measurements[J]. Semiconductor Science and Technology, 2019, 34: 045017. [2] 李孟阁, 刘文文, 王龙飞, 等. 纳米二硫化钼的制备研究现状及展望[J]. 合成技术及应用, 2016, 31(1): 26-30. [3] 张亨. 纳米二硫化钼的制备及性质研究进展[J]. 中国钼业, 2015, 39(3): 5-9. [4] S ynthesis and characterization of large-area and continuous MoS2 atomic layers by RF Magnetron Sputtering[J]. Nanoscale, 2016, 8(7): 101039. [5] Alam K, Lake R K.Monolayer Transistors Beyond the Technology Road Map[J]. IEEE TransactionsonElectron Devices, 2012, 59(12): 3250. [6] Radisavljevic B, Radenovic A, Brivio J, et al.Single-layer MoS2 transistors[J]. Nature Nanotechnology, 2011, 6(3): 147-150. [7] 魏争, 王琴琴, 郭玉拓, 等. 高质量单层二硫化钼薄膜的研究进展[J]. 物理学报, 2018, 67(12): 263-295. [8] Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, et al.Electric Field Effect in Atomically Thin CarbonFilms[J]. Science, 2004, 306: 666-669. [9] 夏万顺. 二硫化钼薄膜的制备及其光探测器研究[D]. 成都: 电子科技大学, 2018. [10] 杨钊. 二硫化钼的制备及其光电特性研究[D]. 广州: 暨南大学, 2017. [11] 邵红红, 陈威. 射频磁控溅射法制备二硫化钼薄膜[J]. 润滑与密封, 2007, 32(12): 43-46. [12] 高斌基. 磁控溅射可控沉积MoS2基复合薄膜及其摩擦学性能研究[D]. 兰州: 兰州理工大学, 2018. [13] Xiao J R, Qi M, Cheng Y, et al.Influences of nitrogen partial pressure on the optical properties of copper nitride films[J]. RSC Advances, 2016, 6: 40895-40899. |
[1] | 徐均琪 , 李候俊 , 李 绵 , 王 建 , 苏俊宏 , 基玛·格拉索夫 . 热蒸发沉积 TiO2 薄膜的光学及激光损伤特性[J]. 真空, 2019, 56(1): 39-44. |
[2] | 赵彦辉, 史文博, 刘忠海, 刘占奇, 于宝海. 电弧离子镀沉积工艺参数的影响[J]. 真空, 2018, 55(6): 49-59. |
[3] | 王晓然, 马艳彬, 段 苹, 李如永, 庄碧辉, 崔 敏, 原安娟, 邓金祥. Mg 掺杂浓度对射频磁控溅射制备 Ga2O3 薄膜性质的影响[J]. 真空, 2018, 55(6): 68-72. |
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