真空 ›› 2018, Vol. 55 ›› Issue (6): 68-72.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.06.15
王晓然,马艳彬,段 苹,李如永,庄碧辉,崔 敏,原安娟,邓金祥
WANG Xiao-ran, MA Yan-bin, DUAN Ping, LI Ru-yong, ZHUANG Bi-hui, CUI Min, YUAN An-juan, DENG Jin-xiang
摘要: 本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过 Ga2O3 和 MgO 两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度 Mg 掺杂氧化镓薄膜的制备。结果发现随着 Mg 掺杂浓度的增加,薄膜的厚度逐渐减小且薄膜的结晶质量有所下降,光透过率无明显变化,但带隙宽度逐渐增加,可实现 Ga2O3 薄膜带隙宽度的连续可调,可调范围从 4.96eV 到 5.21eV;光致发光光谱实验结果表明 Mg 的掺杂导致 PL 峰值发生蓝移现象,且在 473nm 附近出现一个新的发光峰。
中图分类号:
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