真空 ›› 2021, Vol. 58 ›› Issue (6): 43-47.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2021.06.08
杨曌1,2,3, 罗俊尧1,2, 李保昌1,2, 李淑华1,2, 沓世我1,2, 付振晓1,2, 宁洪龙3
YANG Zhao1,2,3, LUO Jun-yao1,2, LI Bao-chang1,2, LI Shu-hua1,2, TA Shi-wo1,2, FU Zhen-xiao1,2, NING Hong-long3
摘要: 采用磁控溅射在96氧化铝陶瓷基板上制备了TiW/Ni/Au和Ti/Ni/Au结构的键合薄膜层,通过调节溅射时长对金层厚度进行控制,模拟光通讯模块中金丝键合工艺并对薄膜进行了键合性能评估。结果表明,Ti/Ni/Au结构具有更加良好的键合效果。键合推拉力的大小随着金层厚度的增加而变化。在≤2μm厚度范围内,拉力随金层厚度的增加出现波动,保持在7.5gf±3%(1gf=9.81×10-3N);推力则随着膜厚的增加先增大后减小,继而保持波动,当厚度为930nm时,推力最大,为78.68gf,厚度大于1μm后,拉力保持在72.03gf±1.8%。数据统计分析结果显示,推拉力的离散程度均随着金层厚度的增加出现先降低后升高的趋势。金丝键合性能与基体上复合金属薄膜层的结构、厚度均存在密切关系,金层厚度过小不易于金丝紧密结合,而厚度增加到一定程度后则降低了与现有键合工艺的匹配。由此可见,在小于2μm范围内通过减小金层厚度可以在保证键合质量的同时有效节约成本。
中图分类号:
[1] CHIU S S, CHAN H L W, OR S W, et al. Effect of electrode pattern on the outputs of piezo-sensors for wire bonding process control[J]. Materials Science and Engineering: B, 2003, 99(2): 121-126. [2] 晁宇晴, 杨兆建, 乔海灵. 引线键合技术进展[J]. 电子工艺技术, 2007, 28(4): 205-210. [3] CHAUHAN P, ZHONG Z W, PECHT M.Copper wire bonding concerns and best practices[J]. Journal of Electronic Materials, 2013, 42(8): 2415-2434. [4] 李凤, 唐会毅, 吴保安, 等. 无氰镀金银基键合丝的研究进展[J]. 有色金属: 冶炼部分, 2018, 14(6): 56-60. [5] 康菲菲, 吴永瑾, 孔建稳, 等. 微电子封装用键合金丝替代产品的研究现状[J]. 贵金属, 2017, 38(4): 81-86. [6] 刘波, 崔洪波, 苏海霞, 等. 自动金丝键合参数的影响及其优化[J]. 电子工艺技术, 2017, 38(2): 102-106. [7] ZHANG D, ZHU Q, CHEN G, et al.Effect of ultrasonic parameters on bonding quality of rolled T2 copper foil and Au wire[J]. An International Journal, 2016, 170(1): 100-105. [8] 雷斌. 金丝键合工艺技术研究[J]. 电子工艺技术, 2012, 33(6): 362-364. [9] 宋云乾. 基于正交试验的金丝键合工艺参数优化[J]. 电子工艺技术, 2014, 35(2): 74-76. [10] TZENG Y F, CHEN F C, CHEN C H.A hybrid approach for multi-objective design optimization of ball grid array gold wire bonding process[J]. Journal of Advanced Mechanical Design, Systems, and Manufacturing, 2015, 9(2): 1-15. [11] 刘丽君, 赵修臣, 李红, 等. 热超声金丝键合工艺及其可靠性研究[J]. 新技术新工艺, 2018, 7(3): 27-31. [12] 范少群, 赵丹. 微组装金丝键合工序统计过程控制技术[J]. 电子与封装, 2016, 16(12): 1-5,11. [13] 董江, 胡蓉. 微系统封装内引线键合的可靠性[J]. 电子工艺技术, 2015, 4(5): 260-264. [14] MINGQIANG P, TAO C, LIGUO C, et al.Analysis of broken wires during god wire bonding process[J]. Key Engineering Materials, 2012(503): 298-302. [15] ZULKIFLI M N, ABDULLAH S, OTHMAN N K, et al.Some thoughts on bondability and strength of gold wire bonding[J]. Gold Bulletin, 2012, 45(3): 115-125. [16] 海洋, 贾耀平, 任建峰, 等. 键合金丝可靠性试验方法研究[J]. 电子元件与材料, 2013, 32(11): 65-68. [17] 占玙娟, 周灵平, 朱家俊, 等. AlN陶瓷表面状态对Ti/Ni金属化薄膜粘结性能的影响[J]. 中国有色金属学报, 2011, 21(1): 152-158. [18] 滕林, 杨邦朝, 崔红玲, 等. 金属薄膜附着性的改进[J]. 电子元件与材料, 2003, 22(6): 41-44. [19] 陆华, 张小军, 崔玉德. Ti/Al2O3界面的光电子能谱研究[J]. 真空科学与技术, 1995, 15(1): 1-6. [20] 赵丽华, 霍彩红, 周晓黎, 等. Ti, W, Mo, TiW膜的阻挡性能比较[J]. 半导体情报, 1998, 35(6): 35-37. |
[1] | 贺平, 张旭, 杨洋. 不同基体材料筒体内壁磁控溅射膜层工艺研究[J]. 真空, 2021, 58(6): 33-37. |
[2] | 朱蓓蓓, 倪昌, 秦琳, 楚建宁, 陈肖, 许剑锋. 基于磁控溅射的纳米金属薄膜沉积工艺研究*[J]. 真空, 2021, 58(6): 21-26. |
[3] | 魏梦瑶, 王辉, 韩文芳, 王红莉, 苏一凡, 唐春梅, 代明江, 石倩. 中频磁控溅射制备氧化钨薄膜及电致变色性能研究*[J]. 真空, 2021, 58(5): 50-56. |
[4] | 张晓霞, 邓金祥, 孔乐, 李瑞东, 杨子淑, 张杰. 不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及研究*[J]. 真空, 2021, 58(5): 57-61. |
[5] | 张健, 牛夏斌, 李建浩, 齐振华. 射频磁控溅射对PET基材制备铝薄膜的性能影响[J]. 真空, 2021, 58(4): 21-24. |
[6] | 付学成, 徐锦滨, 乌李瑛, 黄胜利, 王英. 小圆形平面靶倾斜磁控溅射镀膜均匀性研究*[J]. 真空, 2021, 58(4): 1-5. |
[7] | 余华俊, 赵习军, 武瑞军. 磁控溅射中旋转阴极的对角效应及其解决途径[J]. 真空, 2021, 58(3): 51-54. |
[8] | 杨子淑, 段苹, 邓金祥, 张晓霞, 张杰, 杨倩倩. 不同浓度的Mg掺杂β-Ga2O3薄膜的制备与研究*[J]. 真空, 2021, 58(3): 30-34. |
[9] | 陈志涛. 四米槽式太阳能真空集热管镀膜设备的发展概述[J]. 真空, 2021, 58(2): 20-26. |
[10] | 张玉琛, 张海宝, 陈强. 高功率脉冲磁控溅射制备ZnO薄膜的研究进展*[J]. 真空, 2021, 58(1): 72-77. |
[11] | 吴键坤, 李兆国, 彭丽萍, 易勇, 张继成. 氮分压对ZrN薄膜结构及颜色的影响[J]. 真空, 2021, 58(1): 57-62. |
[12] | 王坤, 王世庆, 李建, 但敏, 陈伦江. 磁控溅射制备紧固件防咬死涂层的厚度均匀性研究*[J]. 真空, 2021, 58(1): 67-71. |
[13] | 戴永喜, 杨倩倩, 邓金祥, 孔乐, 刘红梅, 杨凯华, 王吉有. 不同Si含量掺杂的ZTO薄膜的制备与研究[J]. 真空, 2020, 57(6): 23-26. |
[14] | 韦贤露, 巩晨阳, 肖剑荣. 射频反应磁控溅射制备MoS2薄膜结构及光学性能*[J]. 真空, 2020, 57(5): 11-13. |
[15] | 王朝勇, 李伟, 王凯宏, 李宗泽, 刘志清, 余晨生, 王新练,王小妮,吴昊,马培芳. 直流磁控溅射制备锐钛矿TiO2薄膜生长速率的研究及其在多层膜制备中的应用*[J]. 真空, 2020, 57(5): 19-23. |
|