镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究

doi:10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.12

真空 ›› 2019, Vol. 56 ›› Issue (5): 61-64.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.12

镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究

罗俊尧^1,2, 刘光壮³, 杨曌^1,2, 李保昌^1,2, 沓世我^1,2

1.广东风华高新科技股份有限公司,广东肇庆 526000;
2.新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室,广东肇庆 526020;
3.广东农工商职业技术学院,广东广州 510000

收稿日期:2018-12-19 发布日期:2019-10-15
通讯作者: 杨曌。
作者简介:罗俊尧（1990-）,男,广东省佛山市人,大学本科。

Study on Magnetron Sputtering and Wet Etching Technology of Chromium Silicon Thin Film Resistive Layer

LUO Jun-yao^1,2, LIU Guang-zhuang³, YANG Zhao^1,2, LI Bao-chang^1,2, TA Shi-wo^1,2

1.Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,LTD, Zhaoqing 526000, China;
2.State Key Laboratory of Advanced Material and Electronic Components. Zhaoqing 526020. China;
3.Guangdong AIB Polytchnic, Guangzhou 510000,China

Received:2018-12-19 Published:2019-10-15

摘要/Abstract

摘要： 本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系（CNA：HNO₃:H₂O）中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽（15±1）μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。

关键词: 薄膜电阻, 镍铬硅, 湿法刻蚀, 磁控溅射

Abstract: In this paper, nickel chromium silicon thin film was deposited on 96 alumina substrate by DC magnetron sputtering method, and then the resistance patterns of different requirements are realized bylithography and wet etching. In the graphic process, to comparethe etching effects of HNA etching system, TMAH etching system and catalytic oxidation etching system , and then choice the best etching system and optimizethe process parameters. In the catalytic oxidation etching system (CNAHNO₃H₂O) with CNA content of 30% etching temperature 50℃, the etching rate of about 4 nm/s, etching effect is best, and the design dimension deviation is small, which can realize nickel chromium silicon thin film etching line width to （15±1）μm, meet the requirements of the design and production of high precision precision membrane resistance.

Key words: film resistance, nickel-chromium silicon, wet etching, magnetron sputtering

中图分类号:

TB43

罗俊尧, 刘光壮, 杨曌, 李保昌, 沓世我. 镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究[J]. 真空, 2019, 56(5): 61-64.

LUO Jun-yao, LIU Guang-zhuang, YANG Zhao, LI Bao-chang, TA Shi-wo. Study on Magnetron Sputtering and Wet Etching Technology of Chromium Silicon Thin Film Resistive Layer[J]. VACUUM, 2019, 56(5): 61-64.

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镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究

Study on Magnetron Sputtering and Wet Etching Technology of Chromium Silicon Thin Film Resistive Layer

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