真空 ›› 2023, Vol. 60 ›› Issue (3): 1-4.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2023.03.01
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余康元, 何玉丹, 杨波, 罗江山
YU Kang-yuan, HE Yu-dan, YANG Bo, LUO Jiang-shan
摘要: 采用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)工艺制备出铜(Cu)箔,研究了溅射电压对Cu箔微观结构和性能的影响。结果表明:在溅射电压700~950V范围内,Cu箔均呈现出明显的(111)晶面择优取向,其晶粒尺寸在27.7~36.5nm之间,相对密度在96.1%~98.5%之间,明显优于普通直流磁控溅射制备的Cu箔;随着溅射电压的增大,Cu箔由韧性逐渐向脆性转变,其电阻率逐渐降低至2.38μΩ·cm,接近纯Cu的本体电阻率。
中图分类号: TB742;O484
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