根据目前热丝化学气相沉积（Hot Filament Chemical Vapour Deposition, HFCVD ）金刚石薄膜制备设备现状：存在热丝多为水平放置碳化变脆后易发生断裂、不能实现CVD金刚石薄膜的连续制备、生产成本高及制备效率低等缺点,依据热丝化学气相沉积法制备金刚石薄膜的原理,应用Solidework三维设计软件进行三维建模,结合机械设计软件制图,研制出了该型金刚石薄膜连续制备HFCVD设备,并给出了连续镀膜的工艺流程,采用该设备成功批量生长出质量良好的金刚石薄膜。

对于X射线管等小型真空器件,其内部真空监测还缺乏可靠的方法。基于碳纳米管的气体吸附影响场电子发射的特性,我们开发了一种微型低压传感器,本工作是对该传感器的场发射性能、传感性能、重复性和应用性进行研究。实验结果表明：合金材料制备的碳纳米管分布均匀、晶体性高,有良好的场发射性能;传感器对氮气和水汽具有传感效应,场发射电流能够随系统内部压力的升高而增加;在同一个压力值点的多次测试表明传感器测量一致性优于10 %,能够稳定的工作。对传感器在X射线管的应用测试表明：传感器能够监测X射线管工作时内部真空的变化,可以有效的测量微小真空电子器件内部的真空。

为实现真空试验设备真空和温度参数的自动化检测,本文通过研制真空试验设备计量系统,采用在真空试验设备内部布置高精度铂电阻温度计,同时在设备真空接口处布置高精度全量程真空计实现数据准确测量,上位机利用Labview编程实现自动采集真空、温度的测量数据,从而解决了真空试验设备的真空和温度参数的计量检测自动化实现的难题。

随着微机电系统技术与超大规模集成电路等技术的迅速发展,小微纳卫星因较低的成本、可完成一定复杂度的任务成为了当前各国商业航天发展的重要方向,小微纳卫星的在轨机动能力需求牵引了系列化微小型电推进系统的研制与在轨搭载验证。本文首先对小微纳卫星任务对电推进系统的需求进行了论证,随后简述了微小型电推进系统的特点,介绍了国内外微小型电推进系统研制与在轨验证情况,最后对国内微小型电推进系统的研制与在轨应用进行了展望。

热压机技术作为电站灵活性改造的重要手段,其极限喷射能力的大小对电站改造方案的可行性评估意义重大。本文通过对热压机内部涉及的物理过程进行理论推导,建立了计算热压机可达最大喷射系数的理论模型。研究结果表明,当前计算模型可以很好地描述热压机的喷射能力,在最大喷射系数的计算方面具备较高的精度和适用性。与此同时,模型计算结果表明,热压机喷射能力随工作蒸汽和引射蒸汽压力的增加而增大,随压缩蒸汽压力的增加而减小;工作蒸汽过热度的增加对喷射能力的提升起积极作用,而引射蒸汽的过热度变化不会引起喷射能力出现显著改变。

采用射频反应磁控溅射技术,在不同气压下制备了二硫化钼薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外可见光光谱仪等对薄膜的表面形貌、结构和光学性能进行了表征、分析。结果表明：利用射频反应磁控溅射制备的MoS₂薄膜,表面平整、颗粒均匀、致密,缺陷少;沉积气压1.2Pa条件下制备的薄膜结晶度最好;薄膜的光学带隙随沉积气压先增大后减小,1.2Pa时光学带隙最大,为1.69eV。薄膜光学带隙的变化是由沉积气压引起薄膜结晶度变化和形成缺陷不同所致。

柔性电子器件因其柔韧性好、集成度高、可设计性强和在可穿戴方面的潜在应用,成为近年来微电子的研究热点之一。目前,研究重点进展到器件在疲劳过程中的具体失效情况及在不影响电学性能的同时提高柔性,本文从基底材料类型、器件电学性能影响因素和疲劳损伤等方面进行综述。首先,归纳了不同基底材料与器件类型;其次,对比了膜/基结构器件的电学性能与界面裂纹监测;重点讨论了拉伸、弯折对薄膜失效过程的影响及微裂纹萌生、扩展和饱和阶段的主要特点。结果表明：裂纹失效形式有张开型、滑开型与撕开型三类;加载速率使脆韧性断裂相互转换并分别对应发生穿晶与沿晶裂纹;基底刚度与裂纹颈缩呈正相关。进一步分析发现疲劳损伤大小与机械形变位错有关,结合模型验证了拉伸与弯折均符合此结论。未来应致力于提高材料的膜基匹配与耐拉弯性,完善原位观测并扩展直接观测器件疲劳失效机理的手段,对裂纹萌生进行可调控,提高理论模型精度并与疲劳实验更好结合,以期为开发超柔抗疲劳电子器件提供基础。

通过NS和DSMC两种方法的联合计算可以求解过渡流,NS/DSMC耦合方法同时包含NS方法计算效率与DSMC方法的计算精度优势。本文详细介绍了耦合方法发展中关键技术的原理,讨论了耦合方法在空间羽流研究中的应用进展,说明了计算域划分方法的不足。并就临近空间飞行器绕流方面的耦合技术应用进行了分析,提出耦合计算结果与实验结果的误差可能由DSMC统计散射造成,其可以通过累计统计方式消除。此外,还讨论了采用两相流模型的NS/DSMC耦合方法在MEMS领域的应用。最后就耦合方法在真空领域的应用和未来耦合算法的研究方向进行了展望。

采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO₂薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO₂薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论：HfO₂薄膜表面较为平坦致密,晶粒大小均匀,晶粒尺寸大部分在10nm~20nm之间;薄膜为多晶结构,O和Hf的原子比接近2:1,且随着氩氧比的增加,O和Hf的原子比呈上升趋势;薄膜在400nm~800nm波长范围内光的透射率都在85%以上,折射率都在2.0以上;漏电流较小,介电常数在16以上。高介电HfO₂材料适合代替传统SiO₂做栅介质材料。

针对多色荧光检测的应用需求,本文提出一种多通带滤光片膜系的设计方法,该方法以传统的Fabry-Perot模型为基础,采用带通膜系嵌套的方式构成基础膜系,计算调整其峰位因子和带宽匹配系数,可以实现对基础膜系通带位置、通带带宽的连续调节,通过Essential Macleod软件优化计算,在保证背景深截止的同时能够得到矩形化良好的波形。

本文论述了一种新式布局的真空等轴晶精密铸造炉,该设备是为了替代传统立式等轴晶精密铸造炉,用于生产薄壁、大尺寸铸件及低温浇铸件等。它采用了卧式布局、内置模壳加热器、同轴水冷电缆、线圈平移机构等一系列创新理念与技术。该设备还具有良好的扩展功能,通过更换功能部件可实现细晶铸件的生产。

本文介绍了一种基于莱宝L300系列检漏仪检测航天器总漏率的测试方法,并成功研制出莱宝检漏仪的非真空氦质谱累积航天器总漏率测试系统。经过多次试验测试,结果表明研制的航天器总漏率测试系统具有测量精度高、性能稳定,不仅降低了航天器系统总漏率最小可检值,而且降低了设备重量,增加了移动使用的便携性,具有一定的工程应用和推广价值。

零件存储是真空微波器件制造的基础条件,慢波组件一般存放于真空柜中,存放一段时间后,慢波组件中的螺旋线镀铜表面出现了发黑现象,分析表明螺旋线表面镀铜部位发生了硫化。结合进一步的实验研究和理论分析,真空柜中放置的橡胶制品导致了无氧铜材料表面发黑。在真空状态下,硫是比较容易从橡胶套中升华进入真空柜中的,从而会在真空柜中弥漫大量硫蒸气,这些硫蒸气极易与铜发生化学反应形成Cu₂S,因此含硫的橡胶套不宜放入真空柜,并且在真空电子器件中也要防止使用含硫的橡胶制品接触无氧铜零件。

非晶薄膜由于其优异的性能而被广泛研究,如不粘性和耐腐蚀性,这对于大块金属玻璃形成能力强的Zr₅₅Cu₃₀Al₁₀Ni₅成分来说尤为突出。本文以Zr₅₅Cu₃₀Al₁₀Ni₅块状金属玻璃为靶材,通过直流磁控溅射制备非晶合金薄膜,研究了不同溅射功率对薄膜力学性能、不粘性、耐蚀性和表面粗糙度的影响。结果表明,在磁控溅射功率为75~165W的范围内,可以获得高质量的非晶态薄膜,其硬度达到~9.2GPa,弹性模量~164GPa,硬弹性比~0.055,自腐蚀电流密度~1.16μA·cm^-2,自腐蚀电位-241.27mV,最大润湿角104°。这些性能数据与文献报道的接近,硬度甚至更高,证实该薄膜具有用于不粘和抗腐蚀方面的良好潜力。

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）和脉冲射频辉光放电发射光谱（Pulsed-RF-GDOES）是两种重要的深度剖析技术,前者广泛应用于半导体工业的质量控制,后者主要应用于工业涂层及表面氧（氮）化层的分析。Mo/Si纳米多层膜由于其出色的反射特性被广泛应用于纳米光刻、极紫外显微镜等领域。本文利用原子混合-粗糙度-信息深度（MRI）模型分辨率函数,通过卷积及反卷积方法分别对Mo（3.5nm）/Si（3.5nm）多层膜的TOF-SIMS和Pulsed-RF-GDOES深度谱数据进行了定量分析,获得了相应的膜层结构、膜层间界面粗糙度及深度分辨率等信息。结果表明：GDOES深度剖析产生了较大的溅射诱导粗糙度,SIMS的深度分辨率优于GDOES。

针对空间用电真空器件在轨加电时会导致电、热和压力性能相互影响的问题,以某型号电真空器件加热筒首次加电时偶尔出现不能正常加电故障为背景,分析了电真空器件加热筒抽气机理及其主要影响因素,建立了加热筒腔体压力变化模型,确定加热电缆引出通道直径和腔体内部材料出气是其主要影响因素。在此基础上,开展了典型产品的腔体内部材料出气量模拟测试和腔体压力变化迭代计算。模拟测试和计算分析结果表明,加热筒首次加电时,腔体内部材料出气量的明显增加和加热电缆引出通道直径的不确定性,是导致电真空器件首次在轨加电过程中偶尔会发生不能正常加电故障的主要原因。

本文建立了真空高温热处理加热炉石墨炉胆流体区域的数值模拟模型,并基于CFD建立了石墨炉胆内部流体的仿真模型,对其内部流场进行分析,通过不同结构的分析,得出流场结构的最优解,为设计提供理论依据。

本文主要使用了电子束物理气相沉积、扫描电子显微术、X射线衍射和有限元模拟等技术手段研究了微米级微裂纹对水冷无氧铜坩埚失效的影响。有限元模拟显示在使用过程中水冷铜坩埚的温度分布范围是33℃~183℃,温度最高的区域对应于出水口附近的水道过盈配合处。在薄的坩埚内壁上侧截面温差大、热应力大。导致水冷无氧铜坩埚失效原因是在热应力作用下产生的宏观裂纹,而不是熔融金属铈腐蚀和杂质有害相的形成。宏观裂纹起源于在制备铜坩埚时水道过盈配合过程中引入的几十微米的微裂纹。在热应力的作用下,这些微米级裂纹会逐渐扩展,形成由延伸方向近似平行的裂纹组成的裂纹带,之后该裂纹带演化成贯穿内壁连通水道的宏观裂纹,最后导致水冷铜坩埚失效。坩埚内壁正面区域的裂纹扩展情况并不严重,在坩埚内壁外的其它区域几乎没有明显的变化。

通过磁控溅射氧化锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射功率、溅射气压以及基片温度对ZnO薄膜相结构、禁带宽度及光学性能的影响。使用X射线衍射仪（XRD）分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,采用薄膜测试仪测试薄膜的透过率,采用扫描电镜（SEM）观察薄膜表面形貌。结果表明：不同制备条件下均形成具有（002）择优取向的ZnO薄膜;工艺参数主要对薄膜的透过率造成影响;溅射功率的大小影响生成薄膜的完整性。

为提高铜合金表面硬质薄膜的抗冲击性能,在KK3铜合金表面制备了不同厚度Cr/CrN粘结层的铬掺杂类金刚石（Cr-DLC）碳基薄膜,采用扫描电镜、拉曼光谱仪、纳米压痕仪和连续冲击试验机分别分析了 Cr-DLC薄膜的截面形貌、微观结构、力学性能以及抗冲击性能。结果表明：Cr-DLC薄膜的残余应力、弹性模量、结合强度及抗冲击性能等与Cr/CrN粘结层厚度存在密切关系;铜合金表面Cr-DLC薄膜的残余应力随着粘结层厚度的增加先降后升,当粘结层厚度为1.01μm时,薄膜的残余应力最小,仅为-0.47GPa,硬度与弹性模量分别为11.68GPa和144.54GPa;薄膜的结合强度随粘结层厚度的增加呈先升后降的趋势,当粘结层厚度为1.01μm时结合强度最高,达到了50N;经30000次连续冲击试验后,不同厚度Cr/CrN粘结层的Cr-DLC薄膜样品表面均出现冲击坑,且中心区域均出现一定面积的薄膜剥落,其中粘结层厚度为1.01μm的Cr-DLC薄膜样品冲击坑体积最小,仅为9.241×10⁶μm³,表现出最好的抗冲击性能。综上,针对铜合金表面不同厚度Cr/CrN粘结层的Cr-DLC碳基薄膜,当Cr/CrN粘结层厚度为1.01μm,总厚度不大于8μm时,其抗冲击性能最好。

过渡层是改善膜基关系,提升薄膜质量的关键因素。本文针对常见过渡层材料Cr的外延生长过程进行了分子动力学模拟。通过对沉积过程中薄膜的表面形貌、粗糙度、径向分布函数以及膜基结合强度进行分析,研究了入射能量对薄膜质量的影响。结果表明：沉积初期,膜基界面相互作用是影响薄膜生长方式的主要因素;随入射能量升高,表面粗糙度上升,薄膜由层状生长转变为岛状生长;随沉积过程进行,低能沉积（15~50eV）时薄膜表面粗糙度逐渐升高,而高能沉积（75eV）时在刻蚀作用下表现出相反趋势,表面粗糙度逐渐降低;同时,较低能量范围沉积时膜基界面在浅注入作用下被破坏,削弱了膜基结合强度;进一步提高沉积可通过形成成分梯度层,改善膜基结合效果。本文的研究结果对于薄膜沉积过程具有重要指导意义：镀膜过程中提高入射能量并不一定能起到积极效果,沉积粒子能量必须控制在合适的范围。

随着薄膜材料在现代工业中的广泛应用,电弧离子镀技术已成为制备功能性膜层的重要方法,在航空航天方面主要面向于功能表面改性、复合材料表面金属化等领域。本文采用磁场控制电弧离子镀靶材表面的弧斑运动,在Ti靶上验证了弧斑在不同磁场下的运动状态,分析了弧斑的运动速度及运动范围。在五种磁场情况下制备TiN膜层,通过扫描电镜、能谱分析仪、台阶仪、X射线衍射仪等对TiN膜层的表面形貌、微观结构、成分元素、膜层厚度等进行了分析。结果发现,当磁场控制弧斑均匀地分布在整个Ti靶面,且弧斑运动速度加快时,膜层表面大颗粒数最少,膜层最厚,晶体择优生长方向为（111）晶面。

针对真空电子束熔炼炉工艺安全与工程实际应用,需设计一套冷却装置,以满足30kW高换热量、功能模块分离和高安全保护的要求。本文通过对冷却装置的水冷模块进行理论计算,对控制模块和保护模块进行了故障模式分析和逻辑判断,提出了一种模块化设计的冷却装置。研究结果表明,该冷却装置运行稳定可靠,冷却效果好,安全性高,可保障电子束熔炼炉的稳定运行。

真空管内部的细小金属毛刺去除工艺中采用直流高压存在毛刺去除不净、较大毛刺剩余、影响 产品耐压和频率测试等问题。为克服直流高压去毛刺的工艺缺点，采用低重复频率的高压脉冲去毛刺。为 克服以真空电子管作为脉冲开关的传统高压脉冲电源和以半导体器件作为脉冲开关的全固态高压脉冲 电源主回路和控制回路设计复杂以及成本高等缺点，研制了一台低重复频率和宽占空比的基于双管正激 式变换器的高压脉冲去毛刺电源。可通过增加双管正激式变换器的数量，以并 - 并组合式双管正激式变 换器方式，满足宽占空比的高电压输出，实现了模块化设计。该电源主回路和控制回路的设计简化，稳定 可靠，扩展性好，成本低，为高压脉冲电源设计提出了比较新颖的解决方案。实验结果表明：该电源的输 出参数满足设计指标要求，并且稳定、可靠。

增材制造在近年来取得了长足的发展使其大规模应用在工业领域成为可能,对相关制品的无损检测则越来越受到各方面的重视。本文简要论述了金属增材结构目前的应用情况和主要的缺陷特征,适用于增材结构的主要无损检测方法及其特点,检测难点和研究进展,及无损检测标准方面的现状。并据此提出相关的研究方向建议。

为提高钛合金材料抗冲蚀性能,利用真空阴极电弧沉积技术在TC11钛合金上沉积CrAlN涂层,研究靶电流、偏压和气压对涂层结构及性能的影响。采用扫描电镜观察膜层表面和截面形貌,金相显微镜对表面的大颗粒进行定量分析;显微硬度计测量膜层的维氏显微硬度;采用喷砂试验机对涂层的抗冲蚀性能进行测试,通过三维表面轮廓仪测量涂层厚度和侵蚀坑的深度;X射线衍射仪表征涂层中的晶体结构。结果表明:靶电流从70A增大到110A,虽可提高涂层的沉积速率,但会导致涂层表面大颗粒增加,从而降低涂层的抗冲蚀性能;气压从1Pa增大至4Pa,可有效地减少涂层表面颗粒的尺寸及数量,但也会一定程度降低沉积速率及硬度;偏压对CrAlN涂层的结构及性能影响最大,偏压在-50V时涂层呈(200)择优取向,-100V涂层呈(111)择优取向,-200V时,涂层择优取向不明显;且随着偏压的增加,涂层的硬度及抗冲蚀性能增大,在高冲蚀角下,冲蚀的失效机理为脆性失效。结论工艺参数中靶电流对表面质量的影响最大;涂层的生长取向与偏压密切相关;CrAlN涂层的表面质量及硬度直接影响其抗砂粒冲蚀性能,偏压对涂层抗冲蚀性能影响最大。最终优化的工艺参数为:靶电流90A、偏压-100V、气压4Pa。

结霜现象广泛存在于制冷空调、航空航天以及天体物理学领域。国内外学者对不同条件下的结霜现象进行了大量研究,按结霜压力条件分为常压、真空结霜现象研究;按研究内容分为结霜机理理论与实验研究和结霜过程的数学物理模型的研究。本文重点总结了真空条件下结霜现象的实验研究、理论模型,并与常压条件下的结霜进现象行对比。

钕铁硼作为第三代稀土永磁材料,在世界磁性材料领域占据着举足轻重的地位,在国防、航空航天、信息通讯、汽车、能源、节能环保、医疗器械等领域具有广泛应用,但钕铁硼永磁材料易被腐蚀的特点限制了其应用的进一步拓展。本文论述了钕铁硼永磁材料的物相组成、腐蚀过程和腐蚀产物,阐述了钕铁硼永磁材料高温氧化、湿热吸氢和电化学腐蚀等腐蚀特性。本文还从提升自身耐腐蚀性和表面涂层防护两方面总结了钕铁硼永磁材料腐蚀防护技术,重点阐述了电镀、化学镀、有机物涂层及物理气相沉积等技术的基本原理、研究进展和发展方向。钕铁硼腐蚀防护技术的研究是推动钕铁硼永磁材料应用领域扩展的关键。

本文以直流真空电弧炉对配套直流电源的要求为依据,剖析了常用的直流真空电弧炉电源主电路方案的原理和各自的优缺点,得出了现阶段直流真空电弧炉用电源主电路方案,仍然以电网高压经整流变压器一次降压,整流变压器二次晶闸管相控整流的运行效率为最优。

针对金属多孔材料真空烧结炉的工艺和控制要求,对原有控制系统进行了改造。采用工控机作为上位机并组态监控人机界面,可编程控制器（PLC）和温控仪作为下位机进行程序设计,提高原有系统运行的可靠性、操作的自动化、工艺的稳定性。根据生产运行情况,改造后的系统解决了原有设备在工艺控制精度、操作便捷性及节约能耗等方面存在的问题,实现了改造目的。

本论文展示了一种可调谐硅基外腔激光器,调谐范围在C波段（1540~1560nm）,该激光器使用端面直接耦合（edge coupling）方式将SOA（Semiconductor Optical Amplifier）与硅基Si₃N₄波导集成。通过设计硅基Si₃N₄波导微环结构行成激光器外腔,激光器边模抑制比（side-mode suppression,SMSR）可达64dB。使用热调方式对微环进行等效折射率调节,实现了激光器粗调（coarse tune）与精调（fine tune）相结合,调节精度可达0.04nm。

研究了真空涂层设备控制系统和工艺安全要求的特性,提出以IEC 62061标准完成设备的SIL评估、SIS设计和SIL验证,完成了整套SIS的集成和应用研发,并实现了SIS与总控系统的信息交互和联锁保护,研发的SIS已经使用到多套真空涂层设备之中,有效地保护了人身和财产安全。

半球谐振子金属化镀膜是半球谐振陀螺研制过程中的重要工艺环节,针对半球谐振子金属化镀膜后保持高Q值的要求,需实现纳米金属薄膜的高精度制备。本文以高纯Al为靶材,高纯Ar为溅射气体,采用DC磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备纳米铝膜,并对不同溅射功率和腔室气压下沉积薄膜的厚度、表面粗糙度、表面形貌等进行了测试与表征,探讨了工艺参数对Al薄膜沉积速率、表面粗糙度及微观形貌的影响。研究结果表明：Al膜的沉积速率随着溅射功率的增大而增大;随着腔室气压的增大,沉积速率呈现先增大后减小的趋势;随着溅射功率的增大,沉积薄膜的晶粒尺寸亦随之增大;随着腔室气压的增大,薄膜的颗粒直径先增大后减小;在100W溅射功率和1.6Pa腔室气压条件下镀制的薄膜最均匀致密。上述结论对于半球谐振子曲面纳米薄膜的高质量制备具有重要的指导意义。

本文从热力学角度讨论了氧化钛真空碳热还原过程中各种反应的起始温度。根据热力学计算结果,初步判断钛矿、钛铁矿在真空下的碳热还原反应顺序分别为TiO₂→Ti₃O₅→Ti₂O₃→TiO→Ti、FeTiO₃→TiO₂→Ti₃O₅→Ti₂O₃→TiO→Ti。当TiO₂与C发生碳热还原反应时,TiO₂和C的含量配比不同,生成的物质也不同。当TiO₂∶C摩尔比为2∶1时,生成Ti₂O₃;当TiO₂：C摩尔比为3∶1时,生成Ti₃O₅;当TiO₂∶C摩尔比为1∶1时,生成TiO;当TiO₂∶C摩尔比为1∶2时,生成Ti;当TiO₂∶C摩尔比为1∶3时,生成TiC。

针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时,沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题,本文采用真空直流磁控溅射技术,利用一种高含碳量的SiC靶材,在平面玻璃衬底表面沉积SiC薄膜,通过改变直流电源功率、溅射气压,研究了不同参数对薄膜沉积速率、薄膜厚度均匀性的影响。采用台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）分别对薄膜厚度、横截面形貌和Si、C含量进行检测表征,从而得到最佳工艺参数。实验结果表明：在相同的溅射气压条件下,当溅射功率为2000W、电压为420V时,薄膜沉积速率达到15.39nm·min^-1;相同的直流电源功率条件下,当溅射气压为0.8Pa时,沉积薄膜的厚度均匀性较好,变异系数在3%以内,同时薄膜沉积速率达到10.67nm·min^-1;采用直流磁控溅射技术所制备的薄膜内部致密无孔洞,Si、C总含量在99%以上。

本文介绍了用于生产航空细晶铸件的真空细晶铸造炉的分类、工作原理和特点。文章重点分析了细晶铸造炉与双性能铸造炉的技术要点。最后对未来国产真空细晶（双性能）铸造炉的发展作出展望。

本文主要介绍了柔性镀膜材料的制备方法、应用发展状况以及柔性镀膜材料在柔性电路板行业的应用和发展趋势,重点阐述了采用真空磁控溅射工艺制取高性能柔性电路板材料的研发和制备过程。

针对新一代运载火箭大型超长贮箱氦质谱泄漏检测的需要,本文提出了立式检漏的工艺方法。针对立式检漏中可能存在的由于高度差及重力因素产生的气体分层问题,本文从理论分析和模拟试验验证两个方面分别开展了深入研究。通过理论和试验的对比表明,大型超长贮箱立式检漏时不会产生明显的氦气分层,由分层造成的漏率测量误差可忽略不计,立式泄漏检测技术具备工程应用的可行性。

采用直流磁控溅射方法制备出铒（Er）薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究了溅射功率对Er薄膜微观结构的影响。结果表明：在溅射功率20W~60W的范围内,Er薄膜均为hcp结构,且呈现明显的（110）晶面择优取向的微观织构。Er薄膜生长呈现柱状晶模式,随着溅射功率的增加,柱状晶组织相应长大,薄膜结构更加致密,表面更为平整,其平均晶粒尺寸7.7nm~9.6nm,表面粗糙度最低2.1nm。磁控溅射方法制备的Er薄膜与电子束蒸发等方法制备的Er薄膜相比具有不同的微观结构特征。

真空除油干燥法作为一种极具发展前景的新兴除油方式,比常规除油方法效率高且环保。文章针对空调散热器除油干燥系统的温度场进行研究,利用FLUENT模拟出真空干燥室合适的热源布局方式,以优化除油腔室内的温度场分布,进一步提高除油效率。

本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯β-Ga₂O₃薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂β-Ga₂O₃薄膜,研究了薄膜的结构、光学和电学性质。X射线衍射测试结果表明,在我们的掺杂浓度内,Mg掺杂β-Ga₂O₃薄膜没有出现其他晶相的衍射峰,随着Mg掺杂浓度变大,薄膜的（401）和（601）衍射峰强度变弱。使用X射线光电子能谱测试薄膜中各元素的结合能和化学态。紫外-可见透射光谱测试结果表明薄膜在测试波段平均透光率高达80%以上,薄膜的带隙宽度随着Mg掺杂浓度变大而变大。霍尔效应测试结果表明我们采用射频磁控溅射方法制备的Mg掺杂β-Ga₂O₃薄膜的导电类型为p型,载流子浓度由3.76×10¹⁰cm^-3增加到1.89×10¹³cm^-3,说明Mg掺杂β-Ga₂O₃薄膜是一种很有潜力的p型半导体材料。

原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）是基于自限制界面反应的薄膜生长技术。采用原子层技术可以制备结构致密、高保形、低缺陷密度、性能优异、均匀性好的薄膜。氧化铝是原子层沉积最常见的薄膜（ALD-Al₂O₃）,具有高透明度、高禁带宽度、高介电常数、高阻隔性以及良好的化学和热稳定性,因而作为钝化层、气体渗透阻隔层和栅极介电层等广泛应用于太阳能电池钝化、OLED封装、有机太阳能电池介质层、印刷电子和微电子封装等领域。本文综述了ALD-Al₂O₃原理、在线诊断和应用发展现状,主要包括氧化铝薄膜的生长机理、单体选择、沉积方法、原位诊断,同时对ALD-Al₂O₃应用以及未来的发展趋势进行预测。

本文以规整膜系为基础,使用膜系软件进行优化,设计出满足投影光刻机紫外光学系统用宽角度入射近紫外反射镜使用要求的多层介质膜系。基于平面行星式转动机构,计算出平面紫外反射镜直径400mm以内的膜厚分布,通过对膜厚均匀性修正技术研究,实现镜片表面膜厚光谱曲线偏差小于5nm。

氧化镓（Ga₂O₃）是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度（4.9eV）、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列（p-SiNWs）为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga₂O₃/p-SiNWs异质结,探究了其光学与电学性质。与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的“陷光”特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低。室温下光致发光光谱（PL）测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga₂O₃/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p-SiNWs长度增加异质结理想因子逐渐增加,最佳理性因子为1.98。通过计算 logI-logV图对其电荷传输机制进行了探究。退火可以提高β-Ga₂O₃薄膜的结晶度,从而提高异质结的电学特性。

电子束增材制造是增材制造技术的主要方向之一,它在真空中进行,具有能量利用率高、零件残余应力低等优势,在航空航天、医疗领域获得较为广泛的应用。介绍了两种电子束增材制造方法——电子束选区熔化和电子束熔丝沉积,总结了设备、电子枪、工艺、材料组织调控等方面的研究与应用进展,并对电子束增材制造技术的发展进行了展望。

利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜,在室温条件下,研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量比等工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明,ITO薄膜的透光率随溅射功率和靶基距的增大而减小,当溅射功率为110W、靶基距为70mm时,ITO薄膜的透光性和导电性较为优良。在近紫外光波段和近红外光波段,ITO薄膜的透光率随溅射气压的增大而减小。当氧氩流量比为4:30时,ITO薄膜在500nm到600nm可见光范围内的透光性和综合性能最好。

本文介绍了一种单台真空泵运行参数监测系统。该系统由主控芯片 STM32F103ZET6 单片机及 相应监测参数传感器等组成。介绍了系统的总体设计方案、测量原理、关键技术，详细阐述了硬件设计、 软件编程、传输测试等过程，实现了对单泵温度、压力、转速等运行参数的采集和显示，并可与 PC 上位机 通讯。所设计的系统体积小、功耗低、可靠性高、抗干扰能力强，有效实现了对单泵运行参数的实时监测。

本文对某发射场部分真空多层绝热管道外表面结露、局部结冰问题进行了详细的分析,提出改进措施,为后续真空绝热管道的生产提供借鉴。