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真空 ›› 2025, Vol. 62 ›› Issue (6): 25-30.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2025.06.04

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磁控溅射制备氧化硅薄膜的光学性能研究

张贤旺, 张健   

  1. 沈阳化工大学 机械与动力工程学院,辽宁 沈阳 110142
  • 收稿日期:2024-03-28 出版日期:2025-11-25 发布日期:2025-11-27
  • 作者简介:张贤旺(1999-),男,山东省德州市人,硕士研究生。

Study on Optical Properties of Silicon Oxide Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering

ZHANG Xianwang, ZHANG Jian   

  1. School of Mechanical and Power Engineering, Shenyang University of Chemical Technology, Shenyang 110142, China
  • Received:2024-03-28 Online:2025-11-25 Published:2025-11-27

摘要: 通过控制变量,采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了氧化硅薄膜。利用台阶仪和光谱仪探究了气体压力、基底温度和溅射功率等工艺参数对氧化硅薄膜厚度、粗糙度和透光率的影响。结果表明,溅射气压为0.8 Pa、基片温度为150 ℃、溅射功率为310 W时薄膜粗糙度最低;溅射气压为0.8 Pa、基片温度为250 ℃、溅射功率为250 W时薄膜透光率最高。

关键词: 磁控溅射, 氧化硅薄膜, 膜厚, 粗糙度, 透光度

Abstract: Silicon oxide thin films were fabricated on the glass substrate using radio frequency magnetron sputtering method by controlling variables. The influence of process parameters including gas pressure, sputtering power, substrate temperature on the thickness, roughness and transmittance of the silicon oxide film were studied using the step meter and spectrometer. The results show that the film roughness is the lowest at sputtering pressure of 0.8 Pa, substrate temperature of 150 ℃ and sputtering power of 310 W. The film transmittance is maximized at sputtering pressure of 0.8 Pa, substrate temperature of 250 ℃, and sputtering power of 250 W.

Key words: magnetron sputtering, silicon oxide thin film, film thickness, roughness, transmittance

中图分类号:  TB43

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