真空 ›› 2022, Vol. 59 ›› Issue (3): 46-51.doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2022.03.10
王松林, 杨崇民, 张建付, 李明伟, 米高园, 赵红军, 贾雪涛
WANG Song-lin, YANG Chong-min, ZHANG Jian-fu, LI Ming-wei, MI Gao-yuan, ZHAO Hong-jun, JIA Xue-tao
摘要: 为了研究ITO薄膜在宽角度电磁屏蔽激光窗口中的应用效果,采用双离子束溅射镀膜技术在不同工艺条件下制备了ITO薄膜,根据薄膜的光电性能测试结果,分析了氧气流量、辅助离子源、基片烘烤温度等工艺条件对ITO薄膜透光性和导电性的影响。用Ti2O3和SiO2作为高、低折射率材料,ITO薄膜作为电磁屏蔽膜层,在K9玻璃基片上设计了对2~18GHz电磁波高效屏蔽的0°~45°宽角度入射的1064nm激光窗口膜层,并利用双离子束溅射技术在合适的工艺条件下完成了薄膜的制备。测试结果显示,制备的薄膜透光性和电磁屏蔽性能良好,具有一定的耐酸性,适合作为高效电磁屏蔽、0°~45°宽角度入射的1064nm激光窗口膜层。
中图分类号:
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