射频等离子体去胶及表面清洗工艺技术研究

doi:10.13385/j.cnki.vacuum.2025.02.09

摘要/Abstract

摘要： 简要介绍了等离子去胶和清洗的化学、物理变化过程;系统分析了决定去胶效果和去胶均匀性的因素,并给出了相应的方案和最优参数匹配原理,通过实验研究了不同工艺条件下微米级及纳米级Ar-F光刻胶的最优去除工艺参数;探讨了等离子体清洗反应原理、工艺过程,以及等离子体清洗在材料表面改性方面的应用。

关键词: 等离子体, 干法去胶, 去胶速率, 去胶均匀性, 表面改性

Abstract: The chemical and physical changes of plasma degluing and cleaning are briefly introduced. The factors that determine the degluing effect and uniformity are analyzed systematically, and the corresponding scheme and the optimal parameter matching principle are given. The optimal removal process parameters of micro and nano scale Ar-F photoresist under different process conditions were studied through experiments, and several groups of process parameters with good degluing effect were obtained. The reaction principle and process of plasma cleaning, and the application of plasma cleaning in surface modification of materials are discussed.

Key words: plasma, dry removal of glue, glue removal rate, glue removal uniformity, surface modification

中图分类号: TB79

田文娟, 贺晓彬, 焦斌斌. 射频等离子体去胶及表面清洗工艺技术研究[J]. 真空, 2025, 62(2): 56-61.

TIAN Wenjuan, HE Xiaobin, JIAO Binbin. Research on the Technology of RF Plasma Degluing and Surface Cleaning[J]. VACUUM, 2025, 62(2): 56-61.

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