阳极层离子源结构简单，束流密度大，离子能量可控，在大面积表面改性处理方面具有独特的 优势，还可应用于离子束辅助沉积、基片刻蚀和表面清洗等领域。本文回顾了阳极层离子源的起源和发展 历程，介绍了阳极层离子源的工作原理和研究现状，讨论了阳极层离子源的电磁场的设计、电磁场模拟和 气体放电模拟等关键设计方法，概述了阳极层离子源的应用现状，并对阳极层离子源的发展和应用前景 进行了展望。

空间行波管广泛应用于雷达、卫星通信等方面，在器件制造过程中，真空是空间行波管工作的 基础条件。利用极高真空排气设备获得了极限真空优于 5×10-9Pa 的空间行波管；采用四级质谱计分析了 空间行波管的排气过程和极限真空状态下的残气质谱，并由此确定了空间行波管经济可行的烘烤排气时 间。利用四极质谱计对空间行波管进行了检漏实验，结果表明四极质谱计具有很高的灵敏度,非常适合极 高真空的检漏。建立了放气量极低的测量空间行波管真空度的测试平台。对空间行波管的老练、高低温实 验、存储等过程的真空度进行了测试。空间行波管在进行老练时，管内真空度下降约一个数量级，经过 140h 老练后，在老练离子泵的抽气作用下，管内真空度上升到 5.0×10-8Pa，这时去掉老练离子泵，其真空 度基本保持不变。最后进行了高低温冲击实验，并在室温下存储 6 个月，真空保持良好。这些结果为分析 空间行波管质量提供了很好的依据。

随着碳复合材料的发展，需要石墨化处理的温度越来越高，工件外形尺寸越来越大，对高温石 墨化炉提出了更高的要求，本文针对电阻加热圆筒形保温结构的大尺寸石墨化炉的功率计算进行介绍， 包括其工艺特点、结构型式、计算参数的选择进行探讨。

近年来,增减材复合制造技术成为智能制造的主要方法之一,它依靠增材制造实现材料层积成形,利用减材技术提高表面质量、改善应力状态,兼顾了增材制造的快速成型及减材制造的高精度。本文首先阐述了增材制造技术概况及增减材复合制造技术的概况,然后就国内外有关增减材设备的研究及增减材过程中有关材料表面残余应力和粗糙度的研究进行说明,最后,对增减材复合制造技术面临的主要问题、未来发展趋势进行总结及展望。

由于具有低温、电子瞬间发射等优势,场致发射电子源在X射线管、负氢离子源、显示器件等领域都具有应用潜力。本文首先介绍了场致发射的几种应用;比较分析了不同场致发射电子源及其特点;最后结合实验研究工作,分析了类金刚石膜作为场致发射阴极材料的可行性。分析可知：Spindt加工困难且易于损坏;碳纳米管以其独特的结构成为目前研究最热的材料;类金刚石膜易于合成、成份可调节,它兼具的金刚石和石墨的优点使其成为一种潜在的理想场致发射阴极材料。

为了满足高频率、小型化真空微波器件的需求,寻找合适的阴极材料和激光系统,开展了用于微波真空电子器件的光阴极研究,提出了一体化的光电阴极制备方法,通过加热具有扩散阻挡层的发射物质存储室,提供受控的光电发射层,以代替活性物质蒸发损失,从而延长阴极的使用寿命,并可以从中毒、暴露大气过程中恢复。在超高真空系统内制备了Cs₃Sb光电阴极,利用连续激光器测得其量子效率为0.145% (0.53μm ),在能量为0.37W的连续激光照射下,测得发射电流密度达29.2mA/cm²。光电阴极在高强度的激光作用下被损坏后,重新加热激活,光电发射可以得到一定的恢复并长时间稳定,说明这种光电阴极具有可重复激活的特点,有望成为微波真空电子器件的理想电子源。

弧光放电氩离子清洗源是提高膜基结合力的新技术。由空心阴极枪、热丝弧枪、阴极电弧源发 射的高密度弧光电子流把氩气电离，用得到的高密度的氩离子流清洗工件。工件偏压 200V 以下，工件偏 流可以达到 10A-30A，弧光放电氩离子流密度大，对工件的清洗效果好。本文介绍了几种配置弧光放电 氩离子清洗源的电弧离子镀膜机和磁控溅射镀膜机。

电弧离子镀是真空镀膜技术中最常用的技术之一，目前在科学研究及工业生产中都得到了长 足发展。但是在薄膜沉积过程中的工艺参数如弧电流、沉积气压、沉积温度等对薄膜结构及性能的影响多 分散于不同的文献中，不利于对这些参数的认识与深入理解。本文综述了电弧离子镀中的工艺参数的作 用，这些参数包括弧电流、弧电压、沉积气压、靶基距、基体偏压、沉积温度及外加磁场等。通过对薄膜沉 积过程中工艺参数的总结，可加深这些参数对薄膜结构及性能影响规律的理解，促进真空镀膜技术的工 艺开发及技术进步。

本文从薄膜材料的选择、失效机理、机械性能测试方法和疲劳失效对电学参数影响等方面进行 了综述。分析了拉伸、弯折对薄膜微观形貌的影响，以及微裂纹的萌生、扩展以及饱和三个阶段的主要特 点。总结了薄膜材料、晶粒大小、薄膜厚度对薄膜疲劳寿命的作用，进而分析对薄膜电学参数的影响。对 薄膜表面、沿厚度方向和界面处疲劳裂纹的可控性进行了展望，将数学模拟与薄膜疲劳实验现象要更好 的结合起来，可提高二者的符合程度。

由于缺乏统一规范,如何用酒精高效快速的确定漏点一直是真空镀膜企业重点关注的问题。本文通过对真空镀膜设备的喷酒精检漏的有效性开展研究,并用氦质谱检漏进行验证与标定,系统研究了气压工作范围、抽气速率、漏点结构形式三个主要影响因素。得出如下结论：真空室气压低于5.0×10^-3 Pa时喷酒精不能够检出漏点,气压在5.0×10^-3Pa~9.9×10^-3Pa范围酒精检漏的气压变化趋势为先下降后上升再下降,在气压1.0×10^-2Pa~9.9×10^-2Pa范围里喷完酒精后,真空室内的气压变化趋势是先略微下降后上升再下降,在1.0×10^-1Pa~9.9×10^-1Pa气压范围,由于漏点尺寸大,喷酒精后,气压无下降,直接先上升后下降;相比两个分子泵,一个分子泵工作检漏时,漏点检出时间长且易漏检,所以在实际泵速较小或真空室较大的真空系统检漏时要特别注意,防止漏检。简单结构漏点喷酒精检漏用时短易检出,而结构复杂的漏点气压反应所用时间长易漏检。以上研究结果为真空生产和应用单位采用酒精高效简易检漏提供了有效指导。

研究了钢管在镀膜前处理中的清洗方法，利用多道超声波清洗模式对钢管清洗，然后自然晾 干、高温固化，并对钢管镀膜的前处理质量情况进行分析。试验结果表明：精抛后的不锈钢钢管采用溶剂 超洗 + 自来水超洗 + 去离子水超洗 + 去离子水冲洗 + 烘干的工艺流程方式可行，可满足后续镀膜工艺 的要求，为实现后续的生产自动化流程作业提高了试验依据。

进入纳米时代后,纳米材料与纳米器件的性能不只取决于块体材料的性质,而更主要是由材料的表、界面性质来决定。为了避免由于表面污染而造成的改变与损伤,薄膜材料通常需要放置于超高真空环境中。本文介绍了纳米真空互联大装置的必要性、功能,以及支持项目和取得的重要进展。

真空检漏是漂移管直线加速器（DTL）获得高真空的重要技术。四极质谱计是分析真空系统内残余气体成分的重要工具，同时也可作为一种检漏手段。本文利用氦质谱检漏仪和四极质谱计两种手段对 DTL1^# 腔进行检漏。当对 12^# 漂移管的线圈加电时，腔体内的真空度、漏率和残余气体成分都发生了变化，并且水的谱峰增加最显著，所以判断 12^# 漂移管出现了问题。通过恰当的处理，使腔体很快获得了 10^-6 Pa 的高真空，满足了直线加速器对真空系统的要求。

离子泵（IGP）是一种特别适用于现代加速器设备的真空获得设备。它们具有长寿命、高可靠 性、高清洁度、密闭抽气等特点，并且因为没有振动，不会干扰粒子束的运行轨迹。通常，离子泵通过一个与 主管道形成 T 形的支管与主管道连接，这种连接方式降低了离子泵有效的抽速，并且需要使用复杂且昂贵 的射频（RF）屏蔽。而且，加速粒子通常对杂散磁场比较敏感，由离子泵磁体产生的非对称磁场（对加速器束 线管而言） 是这些杂散磁场的主要来源。安捷伦与 DESY （德国电子同步加速器 Deutsche ElektronenSynchrotron）合作开发了一种新型的高流导离子泵。350 台使用这种创新设计（专利号：EP2 431996A1）的离子 泵，被安装在了 DESY 的 X-FEL 系统上，离子泵在历史上第一次成为了束线管的组成部分。该泵不使用 T 型 支管而是直接安装在束线管上并成为束线管道的一部分，这使得离子泵的有效抽速最大化并简化了安装； 离子泵的磁铁对称的排列在束线管周围，减少了杂散磁场；同时，RF 屏蔽也可以很容易被集成在泵内。该在 线结构的离子泵有望成为类似应用的标准，为全球相关实验室真空系统开辟新的设计方向。

计算流体力学与理论流体力学、实验流体力学共同构成流体力学研究体系。随着计算机科学与 技术的发展，以及数值求解理论与方法的进步，计算流体力学（CFD）越来越受到研究人员和工程技术人 员的重视。CFD 理论模型的预测精度获得广泛认可，已经成为复杂流动和传热问题数值分析的研究工具、 工程技术领域中的重要设计工具以及基础热流体力学的教学工具，在真空工程领域中也有应用，可作为 理解真空设备工作机理的重要研究手段。以水蒸气喷射泵内部流动为例，介绍 CFD 数值模拟方法。通过 数值模拟结果的分析，揭示水蒸气喷射泵抽气效率的内在影响规律，为真空设备的结构优化、性能改进提 供依据。

研究了基于方向平行填充路径的增材制造平面轮廓填充算法,解决了传统方向平行轮廓填充算法只适合于填充形状相对简单的多边形轮廓,而在处理由大量短小线段组成的多边形轮廓时容易失效的问题。该算法首先生成平面轮廓的扫描线,然后生成平面轮廓多边形的所有单调链,确定后基于生成的扫描线和单调链集合建立方向平行填充轨迹的无向图。在所建立的无向图中将无向图边类型分为线段边、水平边和垂直边三种类型,并研究了基于边类型的相邻关系无向图优化处理方法。最后,研究了基于无向图的方向平行填充轨迹连接算法,并通过计算实例验证了算法的有效性。

光电阴极的材料决定了光电发射的量子效率、暗发射电流和出射电子能量分布等重要性能。本文介绍各种类型的光电阴极发射材料,包括碱金属和半导体材料。其中重点介绍半导体材料中的多碱光电阴极和负电子亲和势（NEA）光电阴极,并对多碱光电阴极的制备流程及性能测试和影响NEA光电阴极量子效率等因素进行详细的分析。

电子轰击离子源（Electron Impact Ion Source,EI源）作为小型化磁质谱仪的核心部件之一,其性能指标直接影响质谱仪器的质量分辨率与灵敏度。本文对小型化EI源的结构和电压驱动方式进行了改进和优化,旨在提升EI源的综合性能。采用离子光学模拟软件simion-8.0构建了小型化EI源的三维模型,重点研究几何参数、离子推斥极结构以及驱动EI源的电压参数对离子聚焦性能和离子传输效率的影响。通过模拟离子的运动轨迹,得到离子的运动参数,同时利用相空间法,分析EI源的离子聚焦效果和离子传输效率。理论模拟结果表明：当聚焦极与电离室距离S₁为1.2mm,主狭缝与聚焦极距离S₂与S₁的比值为1.6,主狭缝缝宽S₃为2mm,推斥极为圆弧结构,且聚焦透镜和主狭缝透镜通过扫描高压恒压跟踪驱动方式时,离子的位置聚焦半径小于0.08mm,离子传输效率可达到99%以上。研究表明：经过几何参数、推斥极结构优化和电压驱动方式改进后的EI源,可大幅提高离子传输效率,提升聚焦效果,并能在全质量范围内保持离子聚焦性能稳定,上述特性使其在小型化磁质谱仪开发中具有显著优势。

本文主要介绍了柔性镀膜材料的制备方法、应用发展状况以及柔性镀膜材料在柔性电路板行业的应用和发展趋势,重点阐述了采用真空磁控溅射工艺制取高性能柔性电路板材料的研发和制备过程。

带有密封舱段的航天器进行真空热试验时，需要通过容器外的压控系统对密封舱内的压力进 行调节与控制。一般通过压控管道（金属波纹管）将密封舱与压控系统相连，一旦压控管道与密封舱连接 处出现泄漏，航天器真空热试验将无法进行，因此，保证连接处漏率满足试验要求十分重要。本文对连接 处的具体结构进行研究，得出了连接处的漏率检测方法，并进行了试验验证，取得了良好的效果。

本文介绍了一种基于莱宝L300系列检漏仪检测航天器总漏率的测试方法,并成功研制出莱宝检漏仪的非真空氦质谱累积航天器总漏率测试系统。经过多次试验测试,结果表明研制的航天器总漏率测试系统具有测量精度高、性能稳定,不仅降低了航天器系统总漏率最小可检值,而且降低了设备重量,增加了移动使用的便携性,具有一定的工程应用和推广价值。

NADCAP项目是对航空航天工业供应体系内特殊过程工艺生产的过程认证,是与国际知名航空企业进行合作的基础。本文基于北京航材院在NADCAP认证过程中顺利通过的实践经验,分享了对高温测量标准AMS2750E在认证中的要点解读,审核中易犯错误总结及原因分析,不符合项整改纠正措施实施流程等内容的个人见解和经验。

随着超导技术的迅速发展，为超导材料提供低温环境的制冷系统得到了越来越多的关注。本文 详细介绍了一种基于减压降温原理的高温超导电机过冷氮冷却系统，包括技术指标及相关要求、总体结 构、关键技术、热负荷分析与计算等。系统采用减压降温获得过冷液氮，冷却电机中超导线圈。液氮进口 温度 68K，出口温度 72K。主要由供液杜瓦、过冷箱、抽空泵、超导线圈杜瓦、返液杜瓦、低温管路及温度仪 表组成。试验证明，该冷却系统设计合理、操作方便，成功实现了超导电机的加载运行。

北京卫星环境工程研究所研制了四台 DN1250 口径的液氮屏蔽型制冷机低温泵。该低温泵已 经作为大型空间环境模拟系统的高真空主泵投入使用，满足了热真空试验对高真空的需求，取得了良好 的效果。本文主要针对该低温泵的三种主要性能指标（抽速、降温时间和渡越容量）的设计方法、性能测 试方法以及结果进行介绍，测试结果表明该系列低温泵对氮气的抽速达到了 57000L/s，降温时间约 330min，渡越容量达到 3.0×105Pa·L。

现代大科学工程需要大型真空容器,但大型真空容器的设计需要考虑各种因素,是个重要的综合科学问题。本文针对大型卧式真空容器进行设计及分析,设计出内径为5m,长为6m的带有多个大尺寸方形法兰的卧式真空容器。设计中应用有限元软件ANSYS-Workbench进行计算分析,得到了真空容器在工作状态下的应力及变形分布,进而对容器结构进行优化改进,并进行了稳定性分析。结果表明设计合理可行。

钕铁硼作为第三代稀土永磁材料,在世界磁性材料领域占据着举足轻重的地位,在国防、航空航天、信息通讯、汽车、能源、节能环保、医疗器械等领域具有广泛应用,但钕铁硼永磁材料易被腐蚀的特点限制了其应用的进一步拓展。本文论述了钕铁硼永磁材料的物相组成、腐蚀过程和腐蚀产物,阐述了钕铁硼永磁材料高温氧化、湿热吸氢和电化学腐蚀等腐蚀特性。本文还从提升自身耐腐蚀性和表面涂层防护两方面总结了钕铁硼永磁材料腐蚀防护技术,重点阐述了电镀、化学镀、有机物涂层及物理气相沉积等技术的基本原理、研究进展和发展方向。钕铁硼腐蚀防护技术的研究是推动钕铁硼永磁材料应用领域扩展的关键。

本文介绍了用于生产航空细晶铸件的真空细晶铸造炉的分类、工作原理和特点。文章重点分析了细晶铸造炉与双性能铸造炉的技术要点。最后对未来国产真空细晶（双性能）铸造炉的发展作出展望。

真空电梯是一款新型电梯,通过控制轿顶上下两侧的气压差实现轿厢的上行与下行。目前真空电梯在国外形成了以PVE为代表的产业链,但国内仍处于研发阶段,其相关专利报道主要集中在驱动结构改型、附属部件创新及控制系统优化等三个方面。与传统电梯相比,真空电梯不需要底坑、钢丝绳、曳引轮等装置,具有组装迅速、环保节能、外观时尚、安全可靠等显著优势。真空电梯具有非常广阔的应用方向与市场前景。

硼中子俘获治疗（BNCT）装置由一台ECR离子源、一条低能传输线（LEBT）、一台3.5MeV射频四极加速器（RFQ）、一条高能传输线（HEBT）和一个靶站组成。本文首先介绍了BNCT真空系统的组成,对比了BNCT与CSNS离子源真空系统的差异,给出了HEBT真空系统设计方案和气载计算方法。利用Molflow软件模拟计算了HEBT真空系统的静态压力分布和打靶时的动态压力分布,并与目前运行的真空状态进行比对。

朗缪尔单探针处理系统是使用单探针对符合麦克斯韦电子分布的等离子体放电进行测量诊断的基于LabVIEW运行的处理软件。该系统通过格拉布斯准则实现了对大误差数据的剔除。使用Savitzky-Golay滤波器对V-I曲线进行平滑处理,在将离子流排除后,对过渡区曲线进行处理与计算,得到等离子体放电相关参数。使用该套处理系统能够快捷准确地将繁杂的探针数据处理工作变得更为简单,为朗缪尔探针的实际应用提供了基础。使用该套探针处理系统处理了电子回旋共振波等离子体放电随功率变化的V-I曲线并得到准确的结果。

中国散裂中子源（CSNS）质子加速器由产生能量为80MeV的负氢离子直线加速器、直线加速器到环（LRBT）和环到靶（RTBT）的束流输运线、以及积累和加速质子束到1.6GeV的快循环同步环(RCS)组成,而总长约200米的LRBT段是该加速器的重要组成部分。本文介绍LRBT段真空系统,包括总体布局设计,物理需求,真空参数,关键设备,安装和调试工作;目前,LRBT动态真空在打靶功率50kW时优于2×10^-6Pa,满足物理需求,各非标真空设备、真空获得及测量设备等经过2年半的长期运行,稳定可靠无故障。

阐述采用分子蒸馏技术通过石油基础油进行蒸馏切割,得到二种不同规格的扩散泵油。该二种扩散泵油再通过全程蒸馏、切割二段、五段馏分后得到的数据,进行绘制曲线图。实验结果表明,通过全程蒸馏的扩散泵油具有馏程窄,斜率较小,较窄的馏程意味着扩散泵油中所含的轻馏分和重馏分较少,混合组分比较均匀,极限真空度较高;通过切割二段和五段馏分后,它们的运动粘度分布较均匀,表明扩散泵油中的混合物组分分布均匀,纯度较高。

基于高温工作型红外探测器杜瓦组件的发展趋势,对影响杜瓦漏热指标至关重要的传导漏热和辐射漏热作了分析,提出杜瓦设计改进的方法。概括了杜瓦漏热测试的常规方法,并分析其在高工作温度杜瓦漏热测试方面的缺陷。采用真空保护量热法,实现高工作温度型杜瓦组件漏热的可靠测试,推动第三代红外焦平面探测器组件的发展。

壁电流探头作为一种测量束团纵向尺寸以及强度的探头，在加速器系统中应用广泛。加速器真 空系统为超高真空系统，氧化铝陶瓷耐高温，绝缘性能高，出气率低，介电强度高。不锈钢耐锈蚀，可烘 烤，有较低的出气速率，是常用的优良的超高真空系统材料。介绍了陶瓷可阀合金封接工艺、可阀合金与 不锈钢氩弧焊焊接结构、及氦质谱检漏技术。

通过直流磁控溅射技术在基体（硅片、高速钢、钢片）上沉积碳膜。保持其它工艺参数基本恒定,探究薄膜在100V-400V脉冲负偏压下,结构和性能的变化规律。实验结果表明,这种碳膜为非晶态硬质薄膜,具有较好表面形貌,且随着脉冲偏压数值的逐渐增加,其厚度、沉积速率和硬度均呈现先增大后减小的趋势,而摩擦系数则先减小后增大。当脉冲负偏压为200 V时,薄膜具有最佳的力学性能。

本文归纳整理了美军标、ISO标准和国内标准这三个体系中与光学薄膜技术相关的标准。在美军标中,与光学薄膜技术相关的标准共7个,根据这些标准侧重的内容进行了分类;在ISO标准中,重点讲述了ISO 9211系列标准的主要内容和发展变化;在国内标准中,列举了光学薄膜技术现行标准,并进行了归类整理。对光学薄膜行业标准的未来发展变化提出展望：美军标仍将长期活跃在光学薄膜行业中;ISO标准中光学薄膜内容将不断完善,在行业内获得广泛应用;国内将涌现更多的光学薄膜技术标准并在技术要求上逐步与ISO标准接轨。

在微波管研制过程中，电子枪真空除气过程的主要作用是对阴极进行加热，获得灯丝电流电压与温度的关系曲线、检验电子枪正常工作时灯丝的电流电压，测试电子枪快速启动参数，测量阴极、聚束极热膨胀量和阴极高温时电子枪材料充分预蒸散从而减少电子枪的蒸散物。根据微波管电子枪结构特点和性能要求，设计和开发了极限真空度 2×10^-7 Pa 且具有温度、膨胀量等性能测试功能的双工位电子枪真空除气系统。除气系统由直联泵作为前级泵、分子泵和离子泵为主泵构成超高真空系统，采用阀门的切换可实现两工位在超高真空度下同时工作且互不干扰，有效提升了电子枪的品质，缩短了研制进度。每个工位均配置“分子泵启动允许”、“离子泵启动允许”、“分解电源开允许”及“真空异常”指示灯，防止误操作对电子枪部件或除气系统带来损坏。测试结果表明微波管电子枪真空除气系统的工作原理、结构设计合理，性能优良，适用于不同型号微波管电子枪，在电子枪研制生产过程中发挥了重要的作用。

在高温下,钛的活性迅速增加,可与许多物质发生剧烈反应。目前高品质钛合金的主流熔炼工艺为在真空或惰性气氛保护下的三次真空自耗熔炼。在熔炼过程中,钛合金溶液的熔池温度可达1750℃以上,必须对铜坩埚、电极杆、炉体等设备重要部位通水冷却。在实际的大规模生产中,容易因操作不当、设备故障等原因引起设备冷却水漏进坩埚,与钛合金溶池接触后发生爆炸,造成人员伤亡和财产损失。本文结合实际生产和设备管理经验,总结了真空自耗熔炼炉的危险因素,分析了对应的预防措施。

本文介绍了国内首台多室隧道连续式真空烧结炉的设计原理和研制过程。介绍了其应用背景、系统构成、各主要单元的工作原理,并根据相关技术需求开发设计出一套有自己特色的生产设备。

本文以三叶转子罗茨泵为研究对象,从其基本结构和工作原理出发,对泵内被抽气体的输运过程进行热力学分析。对被抽气体在泵内经历的过程作时序分析,将其分解为吸气、输运、反冲、排气四个阶段,详细讨论各个阶段的特点和机理。应用热力学基本原理,建模计算气体返流量,对吸气、输运、排气进行定量分析,得到被抽气体的压强、容积、总质量、总内能等热力学参数随时间变化的计算公式;探究排气功率与进出口压力之间的关系。

真空管内部的细小金属毛刺去除工艺中采用直流高压存在毛刺去除不净、较大毛刺剩余、影响 产品耐压和频率测试等问题。为克服直流高压去毛刺的工艺缺点，采用低重复频率的高压脉冲去毛刺。为 克服以真空电子管作为脉冲开关的传统高压脉冲电源和以半导体器件作为脉冲开关的全固态高压脉冲 电源主回路和控制回路设计复杂以及成本高等缺点，研制了一台低重复频率和宽占空比的基于双管正激 式变换器的高压脉冲去毛刺电源。可通过增加双管正激式变换器的数量，以并 - 并组合式双管正激式变 换器方式，满足宽占空比的高电压输出，实现了模块化设计。该电源主回路和控制回路的设计简化，稳定 可靠，扩展性好，成本低，为高压脉冲电源设计提出了比较新颖的解决方案。实验结果表明：该电源的输 出参数满足设计指标要求，并且稳定、可靠。

采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO₂薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO₂薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论：HfO₂薄膜表面较为平坦致密,晶粒大小均匀,晶粒尺寸大部分在10nm~20nm之间;薄膜为多晶结构,O和Hf的原子比接近2:1,且随着氩氧比的增加,O和Hf的原子比呈上升趋势;薄膜在400nm~800nm波长范围内光的透射率都在85%以上,折射率都在2.0以上;漏电流较小,介电常数在16以上。高介电HfO₂材料适合代替传统SiO₂做栅介质材料。

本文采用直流射频耦合磁控溅射技术，在玻璃基底上室温沉积 AZO 薄膜，将射频电源功率从 0W 增加到到 200W。通过 X 射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了 AZO 薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能。研究结果表明，直流射频耦合磁控溅射可以在室温下制备性能优异的 AZO 薄膜，且射频溅射功率对 AZO 薄膜光电性能有显著的影响，随着射频功率的提高，AZO 薄膜致密性增加，粒子逐渐变大，薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化。在射频功率为 200W 时，室温制备的 AZO 薄膜电阻率达到最低 5.39×10 ^-4 Ω·cm，薄膜平均可见光透过率达到 82.6%。

基于膜厚渐变-波长渐变的原理设计了波长渐变滤光片,介绍了基于反应磁控溅射镀膜工艺制造波长渐变滤光片的制备工艺,设计了渐变膜厚的修正掩膜板。探讨了波长渐变滤光片的测试技术。

以法布里-珀珞滤光片（Fabry-Perot filter）结构为模型进,通过对间隔层干涉级次的计算优化,在理论上得到初步具有三通道特性的滤光片结构;为了进一步减少通道半带宽和提高滤波特性,通过适当提高反射膜的反射率,最终得到一种三个通道半带宽均≤5nm,峰值透过率≥95%的三通道滤光片设计。

真空包装是一种适用性广、市场需求量大的技术。本文介绍真空包装的目的、意义,说明真空包装设备的几种机型的原理及其选型方法,概括真空包装机的应用情况,并探讨其发展趋势。

本文通过故障模式影响及危害性分析的方法对ZQJ-291H型氦质谱检漏仪各组成部分的不同故障进行分析,研究其对系统工作状态的影响。意在识别设备使用过程中的薄弱环节,为该型氦质谱检漏仪的设计、制造、使用等环节提高可靠性的改进提供有效依据。研究结果表明,影响ZQJ-291H型氦质谱检漏仪可靠性的主要因素为泵油退化和离子源老化,因此建议对离子源损耗方面加大研究力度,进而提高检漏仪的可靠性。

采用直流射频耦合磁控溅射法结合线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜，底层 AZO 薄膜射频功率占比从 50%调整到 90%。通过扫描电子显微镜（SEM）、X 射线衍射仪（XRD）、霍尔效应测试系统、紫外可见分光光度计、光电雾度仪重点研究了 AZO 薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能。研究结果表明，提高底层 AZO 薄膜射频功率占比对微纳结构 AZO 薄膜光电性能有显著的影响，底层 AZO 薄膜射频功率占比 80%时薄膜表现最低电阻率 5.32×10^-4 Ω·cm，可见光波段平均光学雾度 36.3%。随着底层 AZO 薄膜射频功率占比的增加，薄膜表面形貌、生长形态和结晶性能发生较大变化，并得到具有陷光作用且光电性能优良的微纳结构 AZO 薄膜。

某航天单 O 型圈密封结构单机产品真空检漏试验中，漏率曲线持续缓慢上涨并出现“尖角”现 象，类似典型双层弹性密封现象，此现象影响检漏结果的可靠性，因此弄清楚这一现象对后续的检漏试验 是非常必要的。本文建立了双密封结构泄漏过程的数学模型，从而在理论上解释了此类现象发生的原因， 并设计了实验工装，对实验结果进行了现象分析。这对后续的检漏试验具有一定的指导意义。

本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系（CNA：HNO₃:H₂O）中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽（15±1）μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。